Innodisk WEW E3.L 5QS‑P: Data-Center‑SSD für hohe Anforderungen

16 Oktober 2025 Produktneuigkeiten
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Innodisk hat eine neue SSD in der E3.L 5QS‑P‑Reihe vorgestellt, die speziell für den Dauerbetrieb unter hoher Last in Rechenzentren konzipiert ist. Der Datenträger setzt moderne Technologien ein, um auch unter extremen Bedingungen zuverlässige Leistung und Datenintegrität zu gewährleisten.

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Welche Temperaturbereiche und thermischen Maßnahmen unterstützt die SSD?

Die E3.L 5QS‑P ist für durchgehenden Betrieb bei Temperaturen von 0 °C bis 70 °C ausgelegt. Eine aktive thermische Steuerung passt die Performance automatisch an, um Überhitzung zu vermeiden und den kontinuierlichen Betrieb sicherzustellen.

Nach welchen Standards und Kompatibilitätsanforderungen wurde die 5QS‑P entwickelt? im_2.png

Die SSD erfüllt führende Digitalstandards, darunter OCP Data Center NVMe SSD Specification v2.0, und ist kompatibel mit gängigen Virtualisierungsplattformen wie VMware.

Welche Sicherheits- und Verschlüsselungsfunktionen bietet das Laufwerk? im_3.png

Die SSD ist ein Self-Encrypting Drive (SED) und unterstützt AES‑256-Bit-Verschlüsselung, den Standard TCG Opal 2.0, Secure Erase, Secure Boot sowie signierte Firmware, um Daten sicher zu halten. im_4.png

Wie schützt die SSD bei unerwartetem Stromausfall? im_4.png

Dank der integrierten iCell-Technologie speichert die E3.L 5QS‑P im Fall eines Stromausfalls kritische Cache-Daten sofort auf den Flash-Speicher, wodurch Datenverlust verhindert wird.

Welche Management- und Überwachungsfunktionen sind enthalten?

Die SSD bietet umfassende Management-Tools, darunter Ereignisprotokollierung, Gerätestatusüberwachung, Remote-Firmware-Updates sowie Out-of-Band-Management-Funktionalität.

Was sind die wichtigsten technischen Eckdaten der SSD?

  • Modell: E3.L 5QS‑P
  • Flash‑Typ: QLC
  • Schnittstelle: PCIe Gen5 ×4
  • Formfaktor: E3.L
  • Kapazität: bis zu 128 TB
  • Sequenzielle Lese-/Schreibrate: ca. 12 Gb/s Lesen, 5 Gb/s Schreiben
  • Energieverbrauch: < 40 W
  • Kanäle: 16
  • Externer DRAM‑Puffer: Ja
  • Abmessungen: 76,0 × 142,2 × 7,5 mm
  • Vibrationsfestigkeit: 20G bei 7–2000 Hz
  • Schockfestigkeit: 1500G bei 0,5 ms
  • MTBF (Mean Time Between Failures): 2 Mio. Stunden

Warum gewinnt der E3.L‑Formfaktor an Bedeutung in Rechenzentren?

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Der E3.L‑Formfaktor wird zunehmend eingesetzt, insbesondere dort, wo hohe Speicherdichte und kompakte Bauweise erforderlich sind – etwa in großen Rechenzentren oder Supercomputern. Der Trend zur Ablösung älterer U.2‑Lösungen verstärkt sich, da große Datenmengen effizienter verwaltet werden müssen.

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